Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (16)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Tkachuk A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 29
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Sehin M. Ya. 
Thermodynamic Parameters of the Intercalation Reaction in Thermal and Laser Modified Nanodispersed Anatase [Електронний ресурс] / M. Ya. Sehin, A. I. Tkachuk // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 4. - С. 04NEA02-04NEA02. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_4_4
Попередній перегляд:   Завантажити - 203.827 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Tkachuk A. V. 
Ce6ZnBi14 and Pr6InSb15: Ternary rare-earth intermetallics with extended pnicogen ribbons [Електронний ресурс] / A. V. Tkachuk, T. Tam, A. Mar // Chemistry of metals and alloys. - 2008. - Vol. 1, № 1. - С. 76-83. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2008_1_1_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 577.651 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Zelinska O. Ya. 
Structure and physical properties of YbZn2Sb2 and YbCd2Sb2 [Електронний ресурс] / O. Ya. Zelinska, A. V. Tkachuk, A. P. Grosvenor, A. Mar // Chemistry of metals and alloys. - 2008. - Vol. 1, № 2. - С. 204-209. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Khms_2008_1_2_21
Попередній перегляд:   Завантажити - 245.327 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Tetyorkin V. V. 
Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions [Електронний ресурс] / V. V. Tetyorkin, A. V. Sukach, A. I. Tkachuk, S. P. Movchan // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 1. - С. 59-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_1_10
Iso-type p-PbTe/p-CdTe heterojunctions were grown on BaF2 substrates by using the hot-wall epitaxy technique. The growth details are presented. The carrier transport mechanism was investigated by means of the current-voltage measurements. At 77 К the dominant conduction mechanism was found to be the space-charge-limited current. The photovoltaic response in the long-wave infrared region with the half-peak cut-off wavelength ranged from 8,0 to 9,0 <$Emu>m was observed in these heterojunctions for the first time. The possible mechanism of the photoresponse is the internal photoemission of holes from p-PbTe across the heterojunction barrier.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.061 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Sukach A. V. 
Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films [Електронний ресурс] / A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 3. - С. 268-271. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_3_12
Heterostructure contacts p<^>+-PbTe/p-CdTe were prepared using the hot-wall technique on glassceramic substrates. It has been shown that the potential barrier at the p<^>+-PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of heavily doped lead telluride. That allows one to create ohmic heterocontacts of metal-p<^>+-PbTe/p-CdTe type. The transverse and in-plane transport of carriers has been investigated as a function of bias voltage and temperature. The current-voltage characteristics measured for the transverse arrangement of contacts exhibited ohmic behavior. The current-voltage characteristics of these contacts are determined by unipolar injection of holes from p<^>+-PbTe into p-CdTe. The inplane transport has been explained by presence of potential barriers at the grain boundaries. The potential barrier height has been estimated to be ~0,1 eV at room temperature. The mechanism of carrier transport is thermionic emission.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.097 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Sukach A. 
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions [Електронний ресурс] / A. Sukach, V. Tetyorkin, A. Voroschenko, A. Tkachuk, M. Kravetskii, I. Lucyshyn // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 4. - С. 325-330. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_4_4
The linearly-graded p-n junctions were prepared by diffusion of cadmium into n-InSb(100) substrate with the electron concentration <$En~symbol Ы~1,6~cdot~10 sup 15 ~roman cm sup -3> at the temperature T = 77 K. Passivation and protection of mesa structures have been carried out using thin films of CdTe. Forward and reverse current-voltage characteristics were investigated within the temperature range 77...156 K. It has been found that the total dark current consists of generation-recombination and tunneling current components, which are dominant at high (T = 120...156 K) and low (T << 120 K) temperatures, respectively. Experimental results have been explained using the model of a nonhomogeneous p-n junction. It has been shown that in the linearly-graded p-n junction with the rather thick (~<$E1~mu m>) depletion region tunneling current flows through the states related to dislocations in the depletion region. The performed estimation of electrical parameters of diffusion InSb p-n junctions allows to predict behavior of InSb-based photodiodes at operation temperatures T >> 77 K.Carrier transport mechanisms have been investigated in linearly graded InSb p-n junctions prepared using thennal diffusion of Cd into single crystal substrates of n-type conductivity. The investigations were focused on the reverse current as a function of bias voltage and temperature. The obtained experimental data show that local inhomogeneities in the depletion region are responsible for the excess tunneling current observed in the reverse biased junctions. The inhomogeneities have been attributed to dislocations, precipitates or other extended defects. A phenomenological model is proposed to explain experimental data.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.33 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Bezvesilna O. 
Introducing the principle of constructing an aviation gravimetric system with any type of gravimeter [Електронний ресурс] / O. Bezvesilna, A. Tkachuk, L. Chepyuk, S. Nechai, T. Khylchenko // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2017. - № 1(7). - С. 45-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2017_1(7)__7
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.621 Mb    Зміст випуску     Цитування
8.

Tkachuk A. 
Analysis of opportunities aimed formation of quality indicators for details machining operations [Електронний ресурс] / A. Tkachuk, O. Dahnyuk // Перспективні технології та прилади. - 2016. - Вип. 9. - С. 138-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2016_9_25
Попередній перегляд:   Завантажити - 1 Mb    Зміст випуску     Цитування
9.

Sukach A. V. 
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions [Електронний ресурс] / A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 3. - С. 267-271. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_3_7
The linearly-graded p-n junctions were prepared by diffusion of cadmium into n-InSb(100) substrate with the electron concentration <$En~symbol Ы~1,6~cdot~10 sup 15 ~roman cm sup -3> at the temperature T = 77 K. Passivation and protection of mesa structures have been carried out using thin films of CdTe. Forward and reverse current-voltage characteristics were investigated within the temperature range 77...156 K. It has been found that the total dark current consists of generation-recombination and tunneling current components, which are dominant at high (T = 120...156 K) and low (T << 120 K) temperatures, respectively. Experimental results have been explained using the model of a nonhomogeneous p-n junction. It has been shown that in the linearly-graded p-n junction with the rather thick (~<$E1~mu m>) depletion region tunneling current flows through the states related to dislocations in the depletion region. The performed estimation of electrical parameters of diffusion InSb p-n junctions allows to predict behavior of InSb-based photodiodes at operation temperatures T >> 77 K.Carrier transport mechanisms have been investigated in linearly graded InSb p-n junctions prepared using thennal diffusion of Cd into single crystal substrates of n-type conductivity. The investigations were focused on the reverse current as a function of bias voltage and temperature. The obtained experimental data show that local inhomogeneities in the depletion region are responsible for the excess tunneling current observed in the reverse biased junctions. The inhomogeneities have been attributed to dislocations, precipitates or other extended defects. A phenomenological model is proposed to explain experimental data.
Попередній перегляд:   Завантажити - 175.635 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Tetyorkin V. V. 
Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films [Електронний ресурс] / V. V. Tetyorkin, A. V. Sukach, V. A. Boiko, A. I. Tkachuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 428-432. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_11
CdTe polycrystalline films with the average size of grains within the range 10 - 360 pm were grown on sapphire substrates by using the modified close-spaced sublimation technique. Transverse (across the film) and lateral (along the film's surface) conductivity as a function of bias voltage and temperature were measured using appropriate arrangement of contacts. The transverse conductivity exhibits ohmic behavior, whereas the lateral transport of carriers is dominated by potential barriers at the grain boundaries. The carrier concentration in the grains and the potential barrier height have been estimated. The inhomogeneous distribution of deep defects through the grains was found from the photoluminescence measurements.
Попередній перегляд:   Завантажити - 295.724 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Sukach A. V. 
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods [Електронний ресурс] / A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 3. - С. 295-298. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_3_11
InSb p-n junctions were prepared by three diffusion methods, including isothermal, two-temperature and two-stage diffusion processes. The current-voltage characteristics were measured as a function of temperature and bias voltage. The highest values of the resistance-area product at zero bias have been obtained for the junctions prepared using the two-stage diffusion process.
Попередній перегляд:   Завантажити - 132.751 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Bezvesilna O. 
Analysis of modern gravimeters of the aviation gravimetric system [Електронний ресурс] / O. Bezvesilna, L. Chepyuk, A. Tkachuk, S. Nechai, T. Khylchenko // Technology audit and production reserves. - 2017. - № 3(1). - С. 53-59. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Tatrv_2017_3(1)__11
Попередній перегляд:   Завантажити - 715.976 Kb    Зміст випуску     Цитування
13.

Bezvesilna O. 
Aviation gravimetric complex for measuring the gravity anomalities with dual-channel capacitive gravimeter [Електронний ресурс] / O. Bezvesilna, A. Tkachuk, T. Khylchenko // Technological complexes. - 2015. - № 1(1). - С. 94-99. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Tehkom_2015_1(1)__14
Попередній перегляд:   Завантажити - 761.736 Kb    Зміст випуску     Цитування
14.

Bezvesilna O. 
Aviation gravimetric system with the vibrating low frequency gravimeter [Електронний ресурс] / O. Bezvesilna, A. Tkachuk, L. Chepyuk, T. Khylchenko // Technological complexes. - 2015. - № 1(2). - С. 46-51. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Tehkom_2015_1(2)__9
Попередній перегляд:   Завантажити - 630.143 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Tetyorkin V. V. 
S1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p + -n junctions [Електронний ресурс] / V. V. Tetyorkin, A. V. Sukach, A. I. Tkachuk, S. P. Trotsenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 4. - С. 374-379. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_4_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 460.957 Kb    Зміст випуску     Цитування
16.

Mkrtchian R. 
Administrative Legal Support of Outer Space Activities of the Federative Republic of Brazil [Електронний ресурс] / R. Mkrtchian, A. Tkachuk, Z. Udovenko // Advanced space law. - 2019. - Vol. 4. - С. 59-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/adspl_2019_4_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 413.837 Kb    Зміст випуску     Цитування
17.

Sukach A. V. 
Shunt current in InAs diffused photodiodes [Електронний ресурс] / A. V. Sukach, V. V. Tetyorkin, A. I. Tkachuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2020. - Vol. 23, № 2. - С. 208-213. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2020_23_2_17
The shunt current has been investigated in p<^>+-n type InAs diffused photodiodes. The mesastructures were prepared by etching in <$Eroman {Br sub 2 ~-~HBr}> solution and sequentially etched in CP-4 and in a lactic acid based etchants. The surface of mesastructures was passivated in alcohol solution of Na2S. After each chemical treatment, the current-voltage and capacitance-voltage characteristics were measured as functions of bias voltage and temperature. It has been shown that the shunt current contains ohmic and non-ohmic components. The evidences have been obtained that the non-ohmic shunt current originates from the space-charge limited current in the surface inversion layer and the trap-assisted tunneling current in the bulk.
Попередній перегляд:   Завантажити - 671.072 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Bakuma A. O. 
Alleles of Ppd-1 genes that control sensitivity to photoperiod in a number of bread winter wheat genotypes [Електронний ресурс] / A. O. Bakuma, G. O. Chebotar, A. V. Tkachuk, S. V. Chebotar, Т. Z. Моskаlеts, V. V. Моskаlеts // Plant Varieties Studying and Protection. - 2020. - Т. 16, № 3. - С. 253-261. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/stopnsr_2020_16_3_5
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.024 Mb    Зміст випуску     Цитування
19.

Yanenko O. 
Automated testing system for implants to regulate intraocular pressure [Електронний ресурс] / O. Yanenko, A. Tkachuk, R. Tkachuk // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2020. - № 1. - С. 5-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vott_2020_1_3
Імплантація дренажних пристроїв при глаукомі зазвичай виконується після попередніх невдалих процедур і є останнім шансом пацієнта зберегти зір. Описано пристрій, що надає змогу автоматизувати процес передопераційної перевірки імплантатів різних типів, що використовуються для виведення внутрішньоочної рідини при глаукомі. Такий прилад допоможе підвищити успішність операції та зберегти зір пацієнтам із глаукомою, завдяки попередній перевірці імплантатів на справність та параметри виведення внутрішньоочної рідини. Для реалізації поставленої мети авторами на базі елементів мікросистемної техніки розроблена структурна схема автоматизованої системи для вимірювання та контролю параметрів імплантатів регулювання внутрішньоочного тиску. Залежно від матеріалу та ступеню твердості імплантату можливі три випадки, коли імплантат відкривається раніше, водночас виникає ризик гіпотонії для ока пацієнта, пізніше - ризик гіпертонії й коли імплантат працює в зоні встановленого тиску. Приведено графіки тестування трьох імплантатів різного ступеню твердості, а також графік відтворюваності характеристики не дефектного імплантату. Запропоновано метод перевірки параметрів імплантатів шляхом апаратного створення надлишкового тиску, з можливістю автоматизованого контролю параметрів передопераційної перевірки імплантатів. Розроблена автоматизована система для передопераційного тестування імплантатів, яка забезпечує: спрощення схеми з одночасною можливістю автоматизації процесу передопераційної перевірки імплантатів різних типів; надає змогу здобути підвищення чутливості, точності вимірювання та об'єктивності визначення параметрів імплантаті; визначення їхньої придатності для використання в медичній хірургічній практиці за параметрами виведення рідини, а саме тиску відкриття, закриття та відтворюваності характеристики під час повторного спрацювання, що сприятиме підвищенню ефективності проведених операцій; скорочення часу перевірки імплантату, який обмежується 2 - 3 хвилинами, і можливістю збереження інформації про параметрів, як в електронному (на комп?ютері), так і в паперовому вигляді.
Попередній перегляд:   Завантажити - 777.412 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
20.

Yanenko O. 
Automated testing system for implants to regulate intraocular pressure [Електронний ресурс] / O. Yanenko, A. Tkachuk, R. Tkachuk // Вісник Київського політехнічного інституту. Серія : Приладобудування. - 2020. - Вип. 59(1). - С. 102-108. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKPI_prylad_2020_59(1)__15
Імплантація дренажних пристроїв при глаукомі зазвичай виконується після попередніх невдалих процедур і є останнім шансом пацієнта зберегти зір. Описано пристрій, що надає змогу автоматизувати процес передопераційної перевірки імплантатів різних типів, що використовуються для виведення внутрішньоочної рідини при глаукомі. Такий прилад допоможе підвищити успішність операції та зберегти зір пацієнтам із глаукомою, завдяки попередній перевірці імплантатів на справність та параметри виведення внутрішньоочної рідини. Для реалізації поставленої мети авторами на базі елементів мікросистемної техніки розроблена структурна схема автоматизованої системи для вимірювання та контролю параметрів імплантатів регулювання внутрішньоочного тиску. Залежно від матеріалу та ступеню твердості імплантату можливі три випадки, коли імплантат відкривається раніше, водночас виникає ризик гіпотонії для ока пацієнта, пізніше - ризик гіпертонії й коли імплантат працює в зоні встановленого тиску. Приведено графіки тестування трьох імплантатів різного ступеню твердості, а також графік відтворюваності характеристики не дефектного імплантату. Запропоновано метод перевірки параметрів імплантатів шляхом апаратного створення надлишкового тиску, з можливістю автоматизованого контролю параметрів передопераційної перевірки імплантатів. Розроблена автоматизована система для передопераційного тестування імплантатів, яка забезпечує: спрощення схеми з одночасною можливістю автоматизації процесу передопераційної перевірки імплантатів різних типів; надає змогу здобути підвищення чутливості, точності вимірювання та об'єктивності визначення параметрів імплантаті; визначення їхньої придатності для використання в медичній хірургічній практиці за параметрами виведення рідини, а саме тиску відкриття, закриття та відтворюваності характеристики під час повторного спрацювання, що сприятиме підвищенню ефективності проведених операцій; скорочення часу перевірки імплантату, який обмежується 2 - 3 хвилинами, і можливістю збереження інформації про параметрів, як в електронному (на комп?ютері), так і в паперовому вигляді.
Попередній перегляд:   Завантажити - 299.657 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського